Plate-type silicon, method of producing the plate-type silicon, solar battery, and base plate for producing the plate-type silicon

WO2004016836 Art A1 26. Februar 2004

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004016836
Aktenzeichen: EP03788069
Anmeldetag: 8. August 2003
Veröffentlichung: 26. Februar 2004
Rechtsraum: WO
IPC: C30B28/04C01B33/02H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

19.779 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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