Memory hub bypass circuit and method

WO2004017179 Art A2 26. Februar 2004

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004017179
Aktenzeichen: EP03788667
Anmeldetag: 18. August 2003
Veröffentlichung: 26. Februar 2004
Rechtsraum: WO
IPC: G06F1/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Software & Datenverarbeitung

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