Herstellungsverfahren für ein Bauelement mit Zweifachem Gatteroxid unter Verwendung eines Metalloxids und Bauelement

WO2004017403 Art A1 26. Februar 2004

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004017403
Aktenzeichen: EP03742013
Anmeldetag: 16. Juni 2003
Veröffentlichung: 26. Februar 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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