Yellow-green light emitting diodes and laser based on strained-ingap quantum well grown on a transparent indirect bandgap substrate

WO2004017433 Art A1 26. Februar 2004

Anmelder: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004017433
Aktenzeichen: EP03788316
Anmeldetag: 1. August 2003
Veröffentlichung: 26. Februar 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00

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Anmelder

Firma: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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