High-Speed Transparent Refresh Dram-Based Memory Cell

WO2004019340 Art A1 4. März 2004

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004019340
Aktenzeichen: EP03793225
Anmeldetag: 21. August 2003
Veröffentlichung: 4. März 2004
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/405G11C11/406G11C8/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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