Mbe Growth Of an Algan Layer Or Algan Multilayer Structure

WO2004019390 Art A2 4. März 2004

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004019390
Aktenzeichen: EP03792701
Anmeldetag: 18. August 2003
Veröffentlichung: 4. März 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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