Magnetron plasma-use magnetic field generation device

WO2004019398 Art A1 4. März 2004

Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004019398
Aktenzeichen: EP03792776
Anmeldetag: 21. August 2003
Veröffentlichung: 4. März 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.

4.636 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.250 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von