Double-gate type mos field effect transistor and production method therefor

WO2004021445 Art A1 11. März 2004

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004021445
Aktenzeichen: EP03791373
Anmeldetag: 28. August 2003
Veröffentlichung: 11. März 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/41H01L29/417H01L29/423H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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