Vorrichtung und Verfahren zum Thermischen Behandeln von Halbleiterwafern
WO2004023529
Art A2
18. März 2004
Anmelder: Mattson Thermal Products GmbH, Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2004023529
- Aktenzeichen
- EP03793642
- Anmeldetag
- 25. Juli 2003
- Veröffentlichung
- 18. März 2004
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Mattson Thermal Products GmbH
Infineon Technologies AG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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