Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit einer Mehrzahl von Gate-Stapeln ----------------------------------
WO2004025693
Art A2
25. März 2004
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2004025693
- Aktenzeichen
- EP03794868
- Anmeldetag
- 12. August 2003
- Veröffentlichung
- 25. März 2004
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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