Verfahren zur P-Typ Dotierung von Oxid-Halbleitern mit Grosser Bandlücke

WO2004025712 Art A2 25. März 2004

Anmelder: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004025712
Aktenzeichen: EP03749700
Anmeldetag: 16. September 2003
Veröffentlichung: 25. März 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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