Metal spacer gate for metal oxide semiconductor device

WO2004027848 Art A1 1. April 2004

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004027848
Aktenzeichen: EP03797376
Anmeldetag: 15. September 2003
Veröffentlichung: 1. April 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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