Method for forming insulating film on substrate, method for manufacturing semiconductor device and substrate-processing apparatus

WO2004027852 Art A1 1. April 2004

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004027852
Aktenzeichen: EP03797686
Anmeldetag: 19. September 2003
Veröffentlichung: 1. April 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/318H01L21/31H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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