Method of reducing voiding in copper interconnects with copper alloys in the seed layer
WO2004030090
Art A1
8. April 2004
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2004030090
- Aktenzeichen
- EP03770360
- Anmeldetag
- 18. September 2003
- Veröffentlichung
- 8. April 2004
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
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