Halbleiterchip, Wobei Leiterbahnen auf einer (1, 0, 0) Kristallebene einen Winkel von mindestens Zehn Grad mit den (0, 1, 0) und (0, 0, 1) Kristallebenen Bilden, um die Bruchsicherheit zu Erhöhen

WO2004030092 Art A1 8. April 2004

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004030092
Aktenzeichen: EP03753305
Anmeldetag: 15. September 2003
Veröffentlichung: 8. April 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/00H01L23/532H01L21/78H01L23/498

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von