Herstellungsverfahren für Ohmsche Kontakte Niedrigen Widerstandes zwischen Substraten und Wannen in einem Cmos Integrierten Bauelement

WO2004032201 Art A2 15. April 2004

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004032201
Aktenzeichen: EP03795777
Anmeldetag: 13. September 2003
Veröffentlichung: 15. April 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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