Semiconductor ferroelectric storage device and its manufacturing method

WO2004036651 Art A1 29. April 2004

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004036651
Aktenzeichen: EP03808861
Anmeldetag: 19. August 2003
Veröffentlichung: 29. April 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10H01L27/115H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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