Polycrystalline Silicon Substrate

WO2004036657 Art A1 29. April 2004

Anmelder: CANON KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2004036657
Aktenzeichen
EP03751463
Anmeldetag
10. Oktober 2003
Veröffentlichung
29. April 2004
Rechtsraum
WO
IPC
H01L31/04C30B29/06C01B33/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
CANON KABUSHIKI KAISHA
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Canon

Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.

10.659 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen