Gestaltung einer Barc-Schicht zur Verbesserten Herstellung von Doppeldamaszenstrukturen in Integrierten Schaltungen

WO2004038792 Art A2 6. Mai 2004

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004038792
Aktenzeichen: EP03774655
Anmeldetag: 9. Oktober 2003
Veröffentlichung: 6. Mai 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

6.825 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von