Magnetic random access memory, and production method therefor

WO2004040651 Art A1 13. Mai 2004

Anmelder: NEC Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004040651
Aktenzeichen: EP03758794
Anmeldetag: 23. Oktober 2003
Veröffentlichung: 13. Mai 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/22H01L27/105H01L21/8239

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NEC Corporation
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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