Semiconductor integrated circuit development method and semiconductor integrated circuit development support program

WO2004042622 Art A1 21. Mai 2004

Anmelder: Renesas Technology Corp., Hitachi Engineering Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004042622
Aktenzeichen: EP03810646
Anmeldetag: 7. November 2003
Veröffentlichung: 21. Mai 2004
Rechtsraum: WO
IPC: G06F17/50

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Renesas Technology Corp.
Hitachi Engineering Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

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Fachgebiete

Software & Datenverarbeitung

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