Method of etching a silicon-containing dielectric material

WO2004042813 Art A1 21. Mai 2004

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004042813
Aktenzeichen: EP03810787
Anmeldetag: 20. Oktober 2003
Veröffentlichung: 21. Mai 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/3213

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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