Method and structure to enhance temperature/humidity/bias performance of semiconductor devices by surface modification
WO2004042817
Art A1
21. Mai 2004
Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2004042817
- Aktenzeichen
- EP02808108
- Anmeldetag
- 31. Oktober 2002
- Veröffentlichung
- 21. Mai 2004
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/12H01L23/053H01L21/44H01L21/48H01L21/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- International Business Machines Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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