Thermoelectric transducing material thin film, sensor device, and its manufacturing method

WO2004044996 Art A1 27. Mai 2004

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004044996
Aktenzeichen: EP03811116
Anmeldetag: 11. November 2003
Veröffentlichung: 27. Mai 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L35/34G01N27/16G01J1/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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