Method of fabricating semiconductor device

WO2004047160 Art A1 3. Juni 2004

Anmelder: Renesas Technology Corp., Hitachi ULSI Systems Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004047160
Aktenzeichen: EP03774085
Anmeldetag: 20. November 2003
Veröffentlichung: 3. Juni 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/285

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Renesas Technology Corp.
Hitachi ULSI Systems Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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