Mbe growth of p-type nitride semiconductor materials

WO2004051719 Art A1 17. Juni 2004

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, Hooper, Stewart Edward 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004051719
Aktenzeichen: EP03812323
Anmeldetag: 27. November 2003
Veröffentlichung: 17. Juni 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/203C30B23/02C30B29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sharp Kabushiki Kaisha
Hooper, Stewart Edward
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

19.779 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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