Siliziumoxidentfernung von einem Substrat

WO2004051723 Art A1 17. Juni 2004

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004051723
Aktenzeichen: EP03778009
Anmeldetag: 31. Oktober 2003
Veröffentlichung: 17. Juni 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/306

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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