Ferroelectric capacitor and process for its manufacture
WO2004053949
Art A1
24. Juni 2004
Anmelder: Infineon Technologies AG, Kabushiki Kaisha Toshiba 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2004053949
- Aktenzeichen
- EP03774443
- Anmeldetag
- 24. November 2003
- Veröffentlichung
- 24. Juni 2004
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
Kabushiki Kaisha Toshiba - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
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