Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einem Ultradünnen Gate-Dielektrikum mit Hohem K

WO2004053964 Art A1 24. Juni 2004

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004053964
Aktenzeichen: EP03779520
Anmeldetag: 10. November 2003
Veröffentlichung: 24. Juni 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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