Method To Produce Low Leakage High K Materials in Thin Film Form

WO2004057657 Art A1 8. Juli 2004

Anmelder: Infineon Technologies AG, International Business Machines Corporation 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004057657
Aktenzeichen: EP03813583
Anmeldetag: 19. Dezember 2003
Veröffentlichung: 8. Juli 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/316C23C14/08H01L29/51H01L29/78H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies AG
International Business Machines Corporation
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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