Verfahren zur Herstellung einer Sublithographischen Gatestruktur für Feldeffekttransistoren, eines Zugehörigen Feldeffekttransistors, eines Zugehörigen Inverters sowie Zugehörige Inverterstruktur

WO2004057660 Art A2 8. Juli 2004

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004057660
Aktenzeichen: EP03782151
Anmeldetag: 9. Dezember 2003
Veröffentlichung: 8. Juli 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/8238H01L27/092H01L29/423H01L29/78H01L21/28H01L21/768H01L21/8234

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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