A Surface Improvement Method in Fabricating High Temperature Superconductor Devices
WO2004059752
Art A1
15. Juli 2004
Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2004059752
- Aktenzeichen
- EP03813858
- Anmeldetag
- 24. Juli 2003
- Veröffentlichung
- 15. Juli 2004
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L39/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tsinghua University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Tsinghua University
Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.
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