Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy

WO2004061909 Art A1 22. Juli 2004

Anmelder: The Regents of the University of California, Japan Science and Technology Agency 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004061909
Aktenzeichen: EP03814572
Anmeldetag: 15. Juli 2003
Veröffentlichung: 22. Juli 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00

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Anmelder

Firmen: The Regents of the University of California
Japan Science and Technology Agency
Land: 🇺🇸 USA

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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