Plasma generator, ozone generator, substrate processing apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

WO2004061929 Art A1 22. Juli 2004

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc., Sato, Noriyoshi, Mase, Hiroshi, Fujii, Shuitsu 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004061929
Aktenzeichen: EP03768312
Anmeldetag: 26. Dezember 2003
Veröffentlichung: 22. Juli 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H05H1/24C01B13/11C23C16/503

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Sato, Noriyoshi
Mase, Hiroshi
Fujii, Shuitsu
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

16.329 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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