Ic-Gehäuse mit Isolierten Drähten

WO2004061959 Art A1 22. Juli 2004

Anmelder: Freescale Semiconductor Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004061959
Aktenzeichen: EP03752627
Anmeldetag: 23. September 2003
Veröffentlichung: 22. Juli 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/49H01L23/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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