Crystallized semiconductor thin film manufacturing method and its manufacturing apparatus

WO2004064133 Art A1 29. Juli 2004

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004064133
Aktenzeichen: EP04701691
Anmeldetag: 13. Januar 2004
Veröffentlichung: 29. Juli 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/268

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

19.779 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von