Method and apparatus for removing material from chamber and wafer surfaces by high temperature hydrogen-containing plasma

WO2004065658 Art A1 5. August 2004

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004065658
Aktenzeichen: EP04701506
Anmeldetag: 12. Januar 2004
Veröffentlichung: 5. August 2004
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/44C23C16/02H01L21/306H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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