Dotierte Halbleiter Nanokristallschichten und Ihr Herstellungsverfahren

WO2004066345 Art A2 5. August 2004

Anmelder: Group IV Semiconductor Inc., McMASTER UNIVERSITY 🇨🇦

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004066345
Aktenzeichen: EP04704161
Anmeldetag: 22. Januar 2004
Veröffentlichung: 5. August 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Group IV Semiconductor Inc.
McMASTER UNIVERSITY
Land: 🇨🇦 Kanada

🇨🇦 McMaster University

Die McMaster University ist eine kanadische Universität mit Forschungsschwerpunkten in Medizin und Materialwissenschaften. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Pharma und Biotechnologie, ergänzt durch Mess- und Polymertechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis in die Gegenwart.

336 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von