Tailored reflecting diffractor for euv lithographic system aberration measurement

WO2004066366 Art A2 5. August 2004

Anmelder: ASML Holding N.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004066366
Aktenzeichen: EP04702118
Anmeldetag: 14. Januar 2004
Veröffentlichung: 5. August 2004
Rechtsraum: WO
IPC: G03B27/52G03B27/42G01B9/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: ASML Holding N.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 ASML

Niederländisches Unternehmen, das Lithografiesysteme und weitere Anlagen für die Halbleiterfertigung entwickelt und herstellt, zentral für die Chipindustrie.

5.380 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Optik & Fototechnik

Vertreten von