Nonvolatile semiconductor memory device

WO2004068500 Art A1 12. August 2004

Anmelder: Hitachi, Ltd., Hitachi Device Engineering Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2004068500
Aktenzeichen
EP03815593
Anmeldetag
31. Januar 2003
Veröffentlichung
12. August 2004
Rechtsraum
WO
IPC
G11C16/06H01L27/115
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Hitachi, Ltd.
Hitachi Device Engineering Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Hitachi

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