Seitenwandstruktur und Herstellungsverfahren zur Reduktion Dersauerstoffdiffusion zu Kontaktsteckern Während der Reaktivenionenätz-Cw-Loch-Verarbeitung
Anmelder: Infineon Technologies AG, Kabushiki Kaisha Toshiba 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2004068539
- Aktenzeichen
- EP04703303
- Anmeldetag
- 19. Januar 2004
- Veröffentlichung
- 12. August 2004
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8246H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
Kabushiki Kaisha Toshiba - Land
- 🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Reddie & Grose wurde 1907 gegründet und ist neben London und Cambridge auch in München und Den Haag vertreten. Sie gilt laut Fachpresse als besonders versiert im Umgang mit komplexen technischen Fragestellungen vor EPA und UPC.