Hartmaske mit Hoher Selektivität zu Iridiumbarrieren zur Herstellung eines Ferroelektrischen Kondensators

WO2004068540 Art A2 12. August 2004

Anmelder: Infineon Technologies AG, Kabushiki Kaisha Toshiba 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004068540
Aktenzeichen: EP04703301
Anmeldetag: 19. Januar 2004
Veröffentlichung: 12. August 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies AG
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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