Method for forming nickel silicide film, method for manufacturing semiconductor device, and method for etching nickel silicide

WO2004070804 Art A1 19. August 2004

Anmelder: NEC Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004070804
Aktenzeichen: EP04709368
Anmeldetag: 9. Februar 2004
Veröffentlichung: 19. August 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NEC Corporation
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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