Substrate of gallium nitride single crystal and process for producing the same

WO2004079802 Art A1 16. September 2004

Anmelder: Sumitomo Chemical Company, Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004079802
Aktenzeichen: EP04717294
Anmeldetag: 4. März 2004
Veröffentlichung: 16. September 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/205H01L33/00H01S5/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Chemical Company, Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

4.352 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von