A Nitrogen-Free Hard Mask Over Low K Dielectric

WO2004084290 Art A1 30. September 2004

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004084290
Aktenzeichen: EP04757559
Anmeldetag: 16. März 2004
Veröffentlichung: 30. September 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/316H01L21/027H01L21/033C23C16/40H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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