Finfet-type semiconductor device and method for fabricating the same

WO2004084292 Art A1 30. September 2004

Anmelder: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004084292
Aktenzeichen: EP04722082
Anmeldetag: 19. März 2004
Veröffentlichung: 30. September 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/423H01L29/786H01L21/84H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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