Semiconductor device having high dielectric film neutralizing fixed charge

WO2004084313 Art A1 30. September 2004

Anmelder: FUJITSU LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004084313
Aktenzeichen: EP03712800
Anmeldetag: 20. März 2003
Veröffentlichung: 30. September 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L21/316H01L29/788H01L29/792H01L27/115H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJITSU LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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