Nitride semiconductor device and its manufacturing method

WO2004086579 Art A1 7. Oktober 2004

Anmelder: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004086579
Aktenzeichen: EP04718759
Anmeldetag: 9. März 2004
Veröffentlichung: 7. Oktober 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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