Leakage current reduction for cmos memory circuits

WO2004090907 Art A1 21. Oktober 2004

Anmelder: QUALCOMM INCORPORATED 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004090907
Aktenzeichen: EP04758837
Anmeldetag: 2. April 2004
Veröffentlichung: 21. Oktober 2004
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/412G11C11/417

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: QUALCOMM INCORPORATED
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Qualcomm

US-amerikanisches Halbleiter- und Technologieunternehmen mit Sitz in San Diego. Qualcomm entwickelt Chipsätze und drahtlose Kommunikationstechnologien für Mobiltelefone, Netzwerke, Automobile und vernetzte Geräte.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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