Vertical misfet semiconductor device having high mobility silicon channel
WO2004090992
Art A1
21. Oktober 2004
Anmelder: NEC Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2004090992
- Aktenzeichen
- EP04726806
- Anmeldetag
- 9. April 2004
- Veröffentlichung
- 21. Oktober 2004
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NEC Corporation
NEC CORPORATION - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NEC
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.
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